平板式PECVD

平板式PECVD

主要技术指标

结构形式 平板型
反应室极限真空度 ≤0.5Pa
工艺压强范围 13~266 Pa
淀积温度 200~500℃
温度精度 ±2℃
RF电源 13.56MHZ
膜厚均匀性 片内≤±3% 片间≤±3% 批间≤±3%
可为用户量身定制非标准产品

产品性能及特点

  • 设备用于2″~8″硅片淀积SiO2、SI3N4等工艺。
  • 设备除装卸片方式为手动外,控制微机对工艺过程及全部参数自动控制。
  • 具有良好的工艺性能,使用范围广泛。
  • 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能