MOCVD镀膜设备

MOCVD镀膜设备

设备用途

主要应用于化合物半导体材料的研究和生产,为当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等的制备,是光电子等产业不可缺少的设备。

设备组成

设备主要由反应室、进样室、样品传递机构、气路系统、电控系统、计算机系统等组成。

技术指标

真空室反应室尺寸Ф200×240mm;进样室尺寸Ф300×240mm
极限真空反应室:≤6.7×10-5Pa;进样室:≤6.7×10-4Pa
沉积温度800~1200℃
温度精度±1℃
装片能力2"~4",1-6片
工艺压强范围13.3~266Pa
气路系统采用3-5路金属有机源;4-6气态源
占地面积主机1200×1000mm2
气体控制柜1300×600mm2
电控柜700×700mm2(两个)