LPCVD

LPCVD

LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,故可采用密集装片方式来提高生产率,并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

主要技术指标

适用硅片尺寸 2-6''
工作温度范围 300-1000℃
恒温长度及精度 800mm±1℃
温度梯度 0-30℃可调
系统极限真空度 0.5Pa
工作压力范围 30Pa-260Pa可调
淀积膜种类 Si3N4、Poiy-Si、SiO2
淀积膜均匀性 Poiy-Si 片内<±3%,片间<±3%,批间<±3%
淀积膜均匀性 Sio2 片内<±3%,片间<±3%,批间<±3%
淀积膜均匀性 Si3N4 片内<±3%,片间<±3%,批间<±3%
可为用户量身定制非标准产品

设备主要特点

  • 对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。
  • 采用进口压力控制系统,闭环控制,稳定性强。
  • 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门,确保气路气密性。
  • 具有完善的报警功能及安全互锁装置。
  • 具有良好的人机界面,灵活的工艺性能。
  • 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能