扩散炉

扩散炉

扩散炉应用于半导体器件、太阳能电池、分立器件、光电子器件、电力电子器件及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于2-8英寸工艺尺寸。

主要技术指标

可配工艺管外径2-8英寸
可配工艺管数量1-4管/台
工作温度范围300-1290℃
恒温区长度及精度800℃<工作温度<1290℃;±0.5℃
600℃≤工作温度≤800℃:±1℃
单点温度稳定性800℃<工作温度<1290℃:±0.5℃/24h
600℃≤工作温度≤800℃:±0.5℃/24h
最大可控升温速度16℃/min
最大降温速度5℃/min
气体流量精度±0.5%FS
气路系统气密性1×10-7 Pa.m3 /s
可为用户量身定制非标准产品

控制系统特点

  • 可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步
  • 工艺曲线的自动运行控制功能
  • 自动运行中可暂停/继续运行功能
  • 工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能
  • PID参数自整定功能
  • 可存储多组PID参数供系统运行调用功能
  • 系统故障自诊功能
  • 工艺气体的程序控制功能
  • 停电后断点继续运行功能等
  • 关键件全部具有高可靠性
  • 具有历史记录功能
  • 具有自主知识产权的软件系统,良好的人机界面
  • 具有多点温度补偿
  • 具有多种故障报警及各种安全互锁保护功能
  • 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能