ALD单原子层薄膜生长设备

ALD单原子层薄膜生长设备

设备用途

原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是一种可精确控制膜层厚度的薄膜制备方法,可在基底上实现金属、氧化物、碳(氮、硫、硅)化物、各类半导体材料和超导材料等的沉积。

本设备主要针对氧化锌(ZnO)为代表的透明导电薄膜和三氧化二铝(Al2O3)等介电材料膜层的生长。设备操作简单可靠,各实验参数灵活可变,能够满足高校及研究所对薄膜材料和复杂表面均匀包覆的科研需要。

技术指标

极限真空 5Pa
整体真空漏率 <10-8Pa.l/s
真空室 真空腔体 氩弧焊接不锈钢材料,上掀盖结构
底部排气口 连接真空干泵
基片加热器 外加热系统,室温~450℃连续可调
衬底尺寸 φ50-100mm
膜厚均匀性 对φ100mm晶元的ZnO膜而言薄膜厚度均匀性小于±1%
ALD工作气体输运控制气路 液态源气路 可按客户要求定制
气态源气路 可按客户要求定制
真空排气系统 双侧无油干式真空泵 1台
真空管路 1套
真空监测 皮拉尼电阻规 测量范围:1.0×105Pa-3×10-2Pa
数据采集记录和人机交互界面 1套
电器控制系统 样品加热电源 1套
电磁换向阀 1套
总控制电源 1套
安装机台 钢材焊接,蒙板快卸,脚轮可固定可移动
设备尺寸(长×宽×高) 600×600×1200 mm
可为用户量身定制非标准产品