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半导体系列

等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)

等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)

详细介绍

等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)
产品介绍
◆用工控机对工艺时间,温度,气体流量,阀门动作,反应室压力实现全自动化控制。
◆采用进口压力控制系统,闭环系统,稳定性高。
◆采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门,确保气路气密性。
◆具有完善的报警功能及安全互锁装置。
◆具有超高温报警及欠温报警,MFC报警,反应室压力报警,RF报警,压缩空气压力低报警, N2压力低报警,冷却水流量低报警。
◆现有的PECVD改造升级后具有生长SiO2薄膜的功能,解决了电池组件PID问题。
同时可生长SiNxOy薄膜(背面钝化工艺),可极大地提高电池的转换效率。



类型Type
◆装片数量:384片/舟(125*125) 336片/舟(156*156)
◆净化台洁净度:100级(10000级厂房)
◆自动化程度:自动控制温度及工艺过程。
◆送取片方式:软着陆式,其特点平稳可靠、无爬行、定位准确、承重量大,使用寿命长。


主要技术指标 
每管最大装片量 384片/舟(125*125) 336片/舟(156*156)
工艺指标 片内±3%,片间±3%,批间±3%
工作温度 200~500℃
温区精度及长度(静态闭管测试) 1200mm±1℃
气体流量精度 ±1%FS
气路系统气密性 1×10-7Pa.m³/S
控制 全进口自动压力闭环调节系统,精准控制反应真空;40KHz  高频电源;工艺舟软着陆;全数字式控制,完善安全的过程控制保护。
1管、2管、3管、4管分别可选;自动装载机械手可选,设备性能、工艺性能可与进口设备媲美。
 

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